以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev）,也称为高温半导体材料。

此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，从而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。顺便说一句，这类宽禁带的半导体材料由于其电子在能带之间的跃迁效率高，并且在跃迁时放出光子的能量高，因此会有较高的光发射效率，光子发射的频率也较高。

从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅和氮化镓半导体材料，其中碳化硅技术最为成熟，而氧化锌、金刚石和氮化铝等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段，相信随着研究的不断深入，其应用前景将十分广阔。