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第三代半导体材料

2015-12-23 11:10:04      点击数:1050


    以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev),也称为高温半导体材料。

    此外,第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点,从而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。顺便说一句,这类宽禁带的半导体材料由于其电子在能带之间的跃迁效率高,并且在跃迁时放出光子的能量高,因此会有较高的光发射效率,光子发射的频率也较高。
    从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是碳化硅和氮化镓半导体材料,其中碳化硅技术最为成熟,而氧化锌、金刚石和氮化铝等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段,相信随着研究的不断深入,其应用前景将十分广阔。
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